下图显示了YESvGaN的一些主要研究步骤和所要进行的工作，主要包括：1）为实现650 ~ 1200v级别，在最大300mm的硅/蓝宝石衬底上实现厚漂移层外延生长的技术开发；2）最大1200V/100A导通电阻4mΩcm²垂直GaN功率晶体管的开发及与硅IGBT成本相同的工艺技术；3）通过干法蚀刻去除硅衬底和缓冲层，通过激光剥离形成蓝宝石衬底的抬高和沉降接触，以及通过先进的接合和泥带实现背面功率元化固定技术；4）对功率晶体管组件和互连技术的开发，还有相应的可靠性特性评估；5）为开发的功率晶体管创建数据表并在多个应用演示机中演示系统效率改进。

在全球最大的电力电子展 PCIM Europe 2023（2023 年 5 月 9 日至 12 日，德国）上，博世展示了其YESvGaN项目的进展，博世已经实现在硅和蓝宝石上生长了二极管击穿电压超过500V的堆叠层，并在150mm GaN on Silicon晶圆上去除了硅，形成了4μm厚、最大直径为5mm的GaN薄膜。不过博世还没有到最终晶体管完成的阶段，目前正在围绕着验证技术是否可行进行大量的研究。如果该技术得以实现，将有望加速垂直GaN的量产化。

博世在PCIM Europe 2023展出的150mm GaN on Silicon晶圆

除此之外，比利时的研究实验室 imec 在 200 毫米晶圆上展示了突破性的氮化镓 (GaN) 工艺，它与Aixtron的设备合作，imec已经证明了GaN缓冲层的外延生长，可用于200mm QST衬底上的1200V横向晶体管应用，硬击穿电压超过1800V。

总之，垂直GaN的研发也是行业的一大努力方向。这些企业和机构正在努力发挥和挖掘GaN在大电压下的潜力。