微转印

微转移印shua消除了对接耦合的一些对齐困难，同时还加快了组装过程。与倒装芯片工艺一样，发光器件生长在 III-V 族半导体基板上。但有一个很大的不同：III-V 晶圆没有被切割成单独的芯片。相反，晶圆上的激光器被底切，因此它们仅通过小系绳连接到源晶圆。然后用类似墨水印章的工具将这些设备一起捡起来，打破系绳。然后，印模将激光器与硅光子晶圆上的波导结构对齐，并将它们粘合在那里。

倒装芯片技术使用金属焊料凸点，而微转移印shua使用粘合剂，甚至可以仅靠分子键合，这依赖于两个平面之间的范德华力，将激光固定到位。此外，硅光子芯片中光源和波导之间的光学耦合通过不同的过程发生。该过程称为渐逝耦合，将激光器放置在硅波导结构的顶部，然后光“渗入”其中。虽然以这种方式传输的功率较少，但渐逝耦合比对接耦合要求的对准精度低。

具有更大的对齐容差使该技术能够一次传输数千个设备。因此，原则上它应该允许比倒装芯片处理更高的吞吐量，并且是要求在每单位面积上集成大量 III-V 族组件的应用的理想选择。

尽管转印是制造 microLED 显示器的既定工艺，例如许多增强现实和虚拟现实产品所需的显示器，但尚未准备好打印激光或光学放大器。去年，Imec成功地使用转移印shua将此类光源连接到包含硅光子波导、高速光调制器和光电探测器的晶圆上。还印shua了可调谐超过 45 nm 波长的红外激光器和适用于基于芯片的光谱系统的高脉冲能量设备。这些只是为了演示目的而制作的，但没有看到这种方法无法以高产量取得良好结果的根本原因。因此，预计该技术将在几年内准备好部署到生产线上。