图5. 刻蚀过程

首先，将晶圆放置在氧化炉中，温度保持在800至1000℃之间，随后通过干法在晶圆表面上形成具有高绝缘性能的二氧化硅（SiO2）膜。接下来进入沉积工艺，通过化学气相沉积（CVD）/物理气相沉积（PVD）在氧化膜上形成硅层或导电层。如果形成硅层，则在必要时可进行杂质扩散处理以增加导电性。在杂质扩散过程中，往往会反复添加多种杂质。

此时应将绝缘层和多晶硅层结合起来进行刻蚀。首先，使用光刻胶。随后，将掩模放置在光刻胶膜上，并通过浸没法进行湿法曝光，从而在光刻胶膜上印刻上预期的图案（肉眼不可见）。当通过显影呈现图案轮廓时，会清除掉感光区域的光刻胶。然后，将经过光刻工艺处理的晶圆转入刻蚀过程，进行干法刻蚀处理。

干法刻蚀主要采用反应离子刻蚀（RIE）法进行，在这一过程中，主要通过更换适用于各个薄膜的源气体来重复进行刻蚀。干法刻蚀和湿法刻蚀都旨在增加刻蚀的纵横比（A/R值）。此外，还需要通过定期清洁来清除积聚在孔洞（刻蚀形成的间隙）底部的聚合物（Polymer）。重要的一点在于，所有变量（如材料、源气、时间、形式和顺序）应该进行有机调整，以确保清洁溶液或等离子体源气能够向下流动到沟槽底部。某个变量出现微小变动，都需要对其他变量进行重新计算，这种重新计算过程会重复进行，直到符合于各阶段的目的。

最近，像原子层沉积（ALD）层这样的单原子膜层变得越来越薄，材料也越来越硬。因此，刻蚀技术正朝着使用低温低压的方向发展。刻蚀工艺旨在控制关键尺寸（CD），以此制作精细的图案，并确保规避因刻蚀过程引发的问题，特别是刻蚀不足以及与残留物清除相关的问题。以上两篇关于刻蚀的文章旨在让读者了解刻蚀工艺的目的、实现上述目的所存在的障碍以及用来克服此类障碍的性能指标等。